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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.6mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

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	DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.851189 +6000：￥1.75377 +10000：￥1.623853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.6mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.19885 +6000：￥3.030509 +10000：￥2.806013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.6mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.466846 +10：￥7.29643 +100：￥5.050225 +500：￥4.220225 +1000：￥3.591686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.466846 +10：￥7.29643 +100：￥5.050225 +500：￥4.220225 +1000：￥3.591686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

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	DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 下载数据手册晶体管	+1：￥10.764902 +10：￥9.419289 +100：￥6.791387 +500：￥5.524927 +1000：￥4.575085	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18.6mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W (Ta) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C (TJ)

DMN3027LFG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.3A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18.6mOhm 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	580 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W (Ta)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C (TJ)