DMPH6023SK3Q-13厂家价格_数据手册

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	DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.20169 +10：￥2.611618 +30：￥2.316581 +100：￥2.021545 +500：￥1.846709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥9.207657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.162444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.19269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥6.587059 +5000：￥6.273336 +12500：￥5.983882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 33mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥15.926341 +10：￥13.031791 +100：￥10.133452 +500：￥8.589607 +1000：￥6.997226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 33mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥15.926341 +10：￥13.031791 +100：￥10.133452 +500：￥8.589607 +1000：￥6.997226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 33mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V

Mouser

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	DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥20.249041 +10：￥16.552787 +100：￥12.888676 +500：￥10.928055 +1000：￥8.90315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

DMPH6023SK3Q-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	33 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2569 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.19269	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2569 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥6.587059 +5000：￥6.273336 +12500：￥5.983882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 33mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥15.926341 +10：￥13.031791 +100：￥10.133452 +500：￥8.589607 +1000：￥6.997226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 33mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥15.926341 +10：￥13.031791 +100：￥10.133452 +500：￥8.589607 +1000：￥6.997226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 33mOhm @ 10A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2569 pF @ 30 V