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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004SCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.774907 +10：￥5.60569 +30：￥5.015617 +100：￥4.436472 +500：￥4.086799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004SCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.013892 +10：￥11.683901 +25：￥11.023196 +100：￥8.59775 +250：￥8.377229	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004SCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.487963 +10：￥20.189743 +25：￥19.048046 +100：￥14.856883 +250：￥14.475823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004SCT Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.65 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4556 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6004SCT 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+50：￥19.199635 +100：￥16.750377 +250：￥16.426999 +500：￥14.527336 +1000：￥12.484112	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT6004SCT参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.65 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4556 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），113W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）