DMP3028LK3Q-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.316864 +100：￥6.162336 +200：￥4.756896 +500：￥4.039056 +800：￥3.63312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.693164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.925782	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥2.875746 +5000：￥2.67747 +12500：￥2.578211 +25000：￥2.479072	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 25mOhm @ 7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1241 pF @ 15 V
DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥7.414492 +10：￥6.541495 +100：￥5.017937 +500：￥3.966514 +1000：￥3.173284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 25mOhm @ 7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1241 pF @ 15 V
DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥7.414492 +10：￥6.541495 +100：￥5.017937 +500：￥3.966514 +1000：￥3.173284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 25mOhm @ 7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1241 pF @ 15 V

Mouser

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	DMP3028LK3Q-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥3.462805 +5000：￥3.157653 +10000：￥3.117851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1241 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP3028LK3Q-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1241 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）