DMT10H009LCG-7厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.413936 +100：￥8.48304 +200：￥6.803856 +300：￥6.074784 +500：￥5.638752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2309 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： V-DFN3333-8（B 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.659328 +10：￥10.54944 +30：￥8.439552 +100：￥7.03296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2309 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： V-DFN3333-8（B 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.554015 +10：￥3.087219 +30：￥2.896257 +100：￥2.694686 +500：￥2.556769	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2309 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： V-DFN3333-8（B 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.581974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2309 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： V-DFN3333-8（B 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥6.18964	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2309 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： V-DFN3333-8（B 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥16.734732 +10：￥14.966021 +100：￥11.687101 +500：￥9.659887 +1000：￥7.632671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.4A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2309 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： V-DFN3333-8（B 类）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT10H009LCG-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥5.702628 +4000：￥5.464009 +10000：￥5.446145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT10H009LCG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.4A（Ta），47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.8 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2309 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	V-DFN3333-8（B 类）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）