DMN63D8LW-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN63D8LW-13 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.503723 +100：￥0.340494 +1000：￥0.249744 +10000：￥0.1815 +20000：￥0.172304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.43802 +100：￥0.372317 +300：￥0.306614 +1000：￥0.273823 +5000：￥0.251922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.256587 +100：￥0.210062 +300：￥0.1868 +1000：￥0.169354	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.169642 +100：￥0.154154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册未分类	+10000：￥0.160312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册未分类	+10000：￥0.179178 +30000：￥0.175912 +50000：￥0.172749 +100000：￥0.169588 +200000：￥0.168006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册未分类	+10000：￥0.182556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.179481 +30000：￥0.176327 +50000：￥0.158397 +100000：￥0.140466 +250000：￥0.137254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.439059 +30000：￥0.431344 +50000：￥0.38748 +100000：￥0.343618 +250000：￥0.335759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.429021 +10：￥2.328879 +100：￥1.135864 +500：￥0.94784 +1000：￥0.658659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323

DMN63D8LW-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	380mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23.2 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册未分类	+10000：￥0.160312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册未分类	+10000：￥0.179178 +30000：￥0.175912 +50000：￥0.172749 +100000：￥0.169588 +200000：￥0.168006	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN63D8LW-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 下载数据手册未分类	+10000：￥0.182556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.2 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）