DMN10H099SK3-13厂家价格_数据手册

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	DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.456282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1172 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.0457 +200：￥3.4122 +800：￥2.5047 +2500：￥1.815 +5000：￥1.72425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1172 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥3.087856 +10：￥2.531201 +30：￥2.289634 +100：￥1.98505 +500：￥1.859015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1172 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.522906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1172 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN10H099SK3-13 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	DMN10H099SK3-13 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥3.769068 +100：￥2.200731 +1000：￥2.024715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN10H099SK3-13 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN10H099SK3-13 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.090906 +150：￥2.010486 +2500：￥1.769228 +10000：￥1.737081 +20000：￥1.608389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.386116 +5000：￥1.303562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1172 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.390805 +5000：￥3.188856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 3.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1172 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.825488 +10：￥7.722303 +100：￥5.91697 +500：￥4.67699 +1000：￥3.741618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 17A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.825488 +10：￥7.722303 +100：￥5.91697 +500：￥4.67699 +1000：￥3.741618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

DMN10H099SK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 3.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1172 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	34W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）