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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.455211 +100：￥1.660362 +1000：￥1.221011 +10000：￥0.884873 +20000：￥0.840587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.6 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2426 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册未分类	+1：￥0.699075 +10：￥0.577141 +30：￥0.516174 +100：￥0.470447 +500：￥0.433869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.6 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2426 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.607362 +100：￥1.284616 +500：￥1.168738 +2500：￥1.082611 +5000：￥1.031328	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.6 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2426 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.064204 +6000：￥1.046609 +10000：￥1.028782 +15000：￥1.01107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.6 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2426 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.698795	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.6 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2426 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥1.56352 +20000：￥1.470658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.6 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2426 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.720222 +10：￥5.415717 +100：￥3.455963 +500：￥2.608723 +1000：￥2.335338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59
DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.720222 +10：￥5.415717 +100：￥3.455963 +500：￥2.608723 +1000：￥2.335338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019USN-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 下载数据手册未分类	+1：￥7.130644 +10：￥4.726125 +100：￥2.504018 +1000：￥2.05628 +2500：￥1.840702	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 9.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 800mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.6 nC 8 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2426 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1019USN-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R 下载数据手册未分类	+729：￥1.916145 +2500：￥1.714935 +10000：￥1.699456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN1019USN-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 9.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	800mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50.6 nC 8 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2426 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	680mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-59-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）