搜索 DMN1019USN-13 共 7 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
DMN1019USN-13 授权代理品牌 | +20: ¥2.392272 +100: ¥1.948752 +300: ¥1.60488 +1000: ¥1.3068 +10000: ¥0.996768 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
DMN1019USN-13 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | +1: ¥0.699075 +10: ¥0.577141 +30: ¥0.516174 +100: ¥0.470447 +500: ¥0.433869 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
DMN1019USN-13 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | +1: ¥7.316011 +10: ¥5.915073 +100: ¥4.031589 +500: ¥3.082066 +1000: ¥2.272634 |
DMN1019USN-13参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.2V,2.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10 毫欧 9.7A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 800mV 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 50.6 nC 8 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2426 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 680mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-59-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |