品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.87A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.67W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSOT-23

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.87A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.67W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSOT-23

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.87A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.67W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSOT-23

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.87A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.67W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSOT-23

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.87A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 1.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 401 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.67W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TSOT-23

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.87A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 1.6A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.67W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： TSOT-26

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.3 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 401 pF @ 25 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.87A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 1.6A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.67W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package： TSOT-26

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8.3 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 401 pF @ 25 V