DMN62D1LFD-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN62D1LFD-7 共 14 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.190156 +100：￥0.804771 +800：￥0.590722 +3000：￥0.428098 +6000：￥0.406681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.01156 +50：￥0.859826 +150：￥0.708092 +500：￥0.632225 +3000：￥0.581647	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册	+1：￥2.252397 +10：￥1.895086 +30：￥1.741892 +100：￥1.588804 +500：￥1.486639	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.634263 +10：￥0.574761 +30：￥0.53517 +100：￥0.507503 +300：￥0.475784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.701753 +200：￥0.4524 +1500：￥0.393593 +3000：￥0.348792 +45000：￥0.344625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.527529 +9000：￥0.518268 +30000：￥0.504494 +60000：￥0.435846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.609258	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.625581 +6000：￥0.615393 +9000：￥0.599997 +12000：￥0.584601 +300000：￥0.487129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.863357 +500：￥0.849003 +1000：￥0.82747 +3000：￥0.813116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.108573 +6000：￥1.059854 +9000：￥0.916693 +30000：￥0.899405 +75000：￥0.744813	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN62D1LFD-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.55 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	36 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1212-3
封装/外壳:	3-UDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.634263 +10：￥0.574761 +30：￥0.53517 +100：￥0.507503 +300：￥0.475784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.701753 +200：￥0.4524 +1500：￥0.393593 +3000：￥0.348792 +45000：￥0.344625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.527529 +9000：￥0.518268 +30000：￥0.504494 +60000：￥0.435846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.609258	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.625581 +6000：￥0.615393 +9000：￥0.599997 +12000：￥0.584601 +300000：￥0.487129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.863357 +500：￥0.849003 +1000：￥0.82747 +3000：￥0.813116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 36 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1212-3 封装/外壳： 3-UDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）