DMPH6050SFGQ-7厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.199565 +200：￥5.545067 +500：￥4.070319 +2000：￥2.949496 +4000：￥2.801997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.873872 +10：￥2.305654 +30：￥2.054327 +100：￥1.748363 +500：￥1.606309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.21862 +6000：￥2.112992 +10000：￥2.073155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥5.827404 +4000：￥5.386038 +6000：￥5.161149 +10000：￥5.071498	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.265103 +10：￥13.432201 +100：￥8.914515 +500：￥6.975872 +1000：￥6.352147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.265103 +10：￥13.432201 +100：￥8.914515 +500：￥6.975872 +1000：￥6.352147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥15.039227 +10：￥12.276207 +100：￥9.548161 +500：￥8.0967 +1000：￥6.680216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMPH6050SFGQ-7 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥4.530623 +4000：￥4.365544 +10000：￥4.330724	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMPH6050SFGQ-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.1A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24.1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1293 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）