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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZT55B12-GS08_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW SOD80

稳压二极管

+2500:

¥0.407309

+5000:

¥0.354193

+12500:

¥0.301079

+25000:

¥0.283327

+62500:

¥0.27567

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V

容差: ±2%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-80 变式

供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF

温度: -65°C # 175°C

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZT55B12-GS08_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW SOD80

稳压二极管

+2500:

¥0.703828

+5000:

¥0.612046

+12500:

¥0.520264

+25000:

¥0.489588

+62500:

¥0.476357

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V

容差: ±2%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-80 变式

供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF

温度: -65°C # 175°C

BZT55B12-GS08_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW SOD80

稳压二极管

+1:

¥3.849341

+10:

¥3.199764

+100:

¥1.694912

+500:

¥1.115107

+1000:

¥0.75832

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOD-80 Variant

供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF

BZT55B12-GS08_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW SOD80

稳压二极管

+1:

¥3.849341

+10:

¥3.199764

+100:

¥1.694912

+500:

¥1.115107

+1000:

¥0.75832

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOD-80 Variant

供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BZT55B12-GS08_二极管与整流器
BZT55B12-GS08
授权代理品牌

DIODE ZENER 12V 500MW SOD80

二极管与整流器

+1:

¥5.379313

+10:

¥4.49331

+100:

¥2.389049

+500:

¥1.56633

+1000:

¥1.075863

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, BZT55

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V

容差: ±2%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA

工作温度: -65°C # 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-80 变式

供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF

温度: -65°C # 175°C

BZT55B12-GS08参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, BZT55
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 9.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 200 mA
工作温度: -65°C # 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-80 变式
供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF
温度: -65°C # 175°C