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	BAS20-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.400983 +200：￥0.159995 +500：￥0.154648 +1000：￥0.152007	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	BAS20-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+1000：￥0.47893 +2500：￥0.383096 +10000：￥0.319287 +15000：￥0.297936 +45000：￥0.266032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	BAS20-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

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	BAS20-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+15000：￥0.39248 +30000：￥0.385623 +75000：￥0.346332 +105000：￥0.300184	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Mouser

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	BAS20-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥3.4299 +10：￥2.384598 +100：￥1.175967 +1000：￥0.68598 +2500：￥0.522653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 150 V 电流 - 平均整流 (Io)： 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 200 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS20-E3-08 VISHAY(威世) 授权代理品牌	Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 625mA 50ns 下载数据手册未分类	+3000：￥0.269565	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BAS20-E3-08参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	150 V
电流 - 平均整流 (Io):	200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.25 V 200 mA
速度:	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr):	50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	100 nA 150 V
不同 Vr、F 时电容:	5pF 0V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SOT-23-3
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: