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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册二极管射频	+20：￥2.732301 +100：￥1.84767 +800：￥1.356168 +3000：￥0.983125 +6000：￥0.933999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）： 8V 电流 - 最大值： 130 mA 不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz 不同 If、F 时电阻： 10 欧姆 5mA，10kHz 功率耗散（最大值）： 150 mW 工作温度： 150°C（TJ）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册二极管射频	+5：￥2.031052 +50：￥1.597567 +150：￥1.411803 +500：￥1.180036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）： 8V 电流 - 最大值： 130 mA 不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz 不同 If、F 时电阻： 10 欧姆 5mA，10kHz 功率耗散（最大值）： 150 mW 工作温度： 150°C（TJ）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册二极管射频	+1：￥1.06722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）： 8V 电流 - 最大值： 130 mA 不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz 不同 If、F 时电阻： 10 欧姆 5mA，10kHz 功率耗散（最大值）： 150 mW 工作温度： 150°C（TJ）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.897182 +50：￥1.418144 +1500：￥1.283759 +3000：￥1.153908 +18000：￥1.134305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）： 8V 电流 - 最大值： 130 mA 不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz 不同 If、F 时电阻： 10 欧姆 5mA，10kHz 功率耗散（最大值）： 150 mW 工作温度： 150°C（TJ）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册二极管射频	+3000：￥0.696497 +6000：￥0.654293 +15000：￥0.642338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）： 8V 电流 - 最大值： 130 mA 不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz 不同 If、F 时电阻： 10 欧姆 5mA，10kHz 功率耗散（最大值）： 150 mW 工作温度： 150°C（TJ）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册二极管射频	+3000：￥1.703817 +6000：￥1.600573 +15000：￥1.571329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）： 8V 电流 - 最大值： 130 mA 不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz 不同 If、F 时电阻： 10 欧姆 5mA，10kHz 功率耗散（最大值）： 150 mW 工作温度： 150°C（TJ）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 温度： 150°C（TJ）
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册二极管射频	+1：￥6.040931 +10：￥4.846474 +25：￥4.442831 +100：￥3.304664 +250：￥2.994655	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册二极管射频	+1：￥6.040931 +10：￥4.846474 +25：￥4.442831 +100：￥3.304664 +250：￥2.994655	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.981429 +10：￥5.747502 +100：￥3.912847 +500：￥2.938695 +1000：￥2.208081	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：肖特基 - 单电压 - 峰值反向（最大值）： 8V 电流 - 最大值： 130 mA 不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz 不同 If、F 时电阻： 10 欧姆 5mA，10kHz 功率耗散（最大值）： 150 mW 工作温度： 150°C（TJ）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAT68E6327HTSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	RF Diode Schottky 8V 150mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.695558 +10：￥4.103922 +25：￥4.063352 +100：￥2.763518 +250：￥2.73543	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BAT68E6327HTSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）:	8V
电流 - 最大值:	130 mA
不同 Vr、F 时电容:	1pF 0V，1MHz
不同 If、F 时电阻:	10 欧姆 5mA，10kHz
功率耗散（最大值）:	150 mW
工作温度:	150°C（TJ）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	PG-SOT23
温度:	150°C（TJ）