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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ALD1106SBL_未分类
ALD1106SBL
授权代理品牌

4个N沟道(配对) 耐压:10.6V

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

类型: 4个N沟道(配对)

漏源电压(Vdss): 10.6V

功率(Pd): 500mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 500Ω@5V

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ALD1106SBL_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

射频晶体管

+1:

¥30.63879

+10:

¥27.522086

+100:

¥22.549094

+500:

¥19.195414

+1000:

¥16.188903

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Advanced Linear Devices Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 4 N 沟道,配对

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 10.6V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 欧姆 5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3pF 5V

功率 - 最大值: 500mW

工作温度: 0°C # 70°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 14-SOIC

温度: 0°C # 70°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ALD1106SBL_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

射频晶体管

+1:

¥74.950598

+10:

¥67.326313

+100:

¥55.161056

+500:

¥46.957069

+1000:

¥39.602347

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Advanced Linear Devices Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 4 N 沟道,配对

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 10.6V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 欧姆 5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3pF 5V

功率 - 最大值: 500mW

工作温度: 0°C # 70°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 14-SOIC

温度: 0°C # 70°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ALD1106SBL_未分类
ALD1106SBL
授权代理品牌

MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

未分类

+1:

¥79.129113

+10:

¥71.216203

+50:

¥67.259747

+100:

¥58.255399

+500:

¥49.52391

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Advanced Linear Devices Inc.

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 4 N 沟道,配对

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 10.6V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 欧姆 5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3pF 5V

功率 - 最大值: 500mW

工作温度: 0°C # 70°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 14-SOIC

温度: 0°C # 70°C(TJ)

ALD1106SBL参数规格

属性 参数值
品牌: Advanced Linear Devices Inc.
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 4 N 沟道,配对
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 欧姆 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3pF 5V
功率 - 最大值: 500mW
工作温度: 0°C # 70°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 14-SOIC
温度: 0°C # 70°C(TJ)