品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 碳化硅（SiC）

漏源电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 98 毫欧 20A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62nC 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 950pF 1000V

功率 - 最大值： 125W

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： SP3

温度： -40°C # 150°C（TJ）