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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AIHD06N60RFATMA1_晶体管-IGBT
AIHD06N60RFATMA1
授权代理品牌

IC DISCRETE 600V TO252-3

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 8ns/105ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3-313

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AIHD06N60RFATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IC DISCRETE 600V TO252-3

晶体管-IGBT

+2500:

¥10.087432

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 8ns/105ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3-313

温度: -40°C # 175°C(TJ)

AIHD06N60RFATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A
功率 - 最大值: 100 W
开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 48 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 8ns/105ns
测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3-313
温度: -40°C # 175°C(TJ)