品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，4A

功率 - 最大值： 75 W

开关能量： 90µJ（开），150µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 14ns/146ns

测试条件： 400V，4A，43 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： PG-TO252-3

温度： -40°C # 175°C（TJ）