品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 28A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2430 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： ATPAK

封装/外壳： ATPAK（2 引线 + 接片）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 28A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2430 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： ATPAK

封装/外壳： ATPAK（2 引线 + 接片）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 28A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2430 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： ATPAK

封装/外壳： ATPAK（2 引线 + 接片）

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： ATPAK-3

系列： ATP103

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 55 A

Rds On-漏源导通电阻： 13 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.6 V

Qg-栅极电荷： 47 nC

Pd-功率耗散： 50 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 1 P-Channel

单位重量： 4 g

温度： - 55 C~+ 150 C