品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 370mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 欧姆 190mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.84 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 24.1 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-70FL/MCPH3

封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-323-3

系列： 6HP04MH

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 370 mA

Rds On-漏源导通电阻： 4.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.6 V

Qg-栅极电荷： 840 pC

Pd-功率耗散： 600 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 1 P-Channel

单位重量： 6 mg

温度： - 55 C~+ 150 C