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6HP04CH-TL-W
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MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69

未分类

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国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 370mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 欧姆 190mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.84 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 24.1 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 3-CPH

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: 150°C(TJ)

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6HP04CH-TL-W_晶体管-FET,MOSFET-单个
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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 欧姆 190mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.84 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 24.1 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

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安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 3-CPH

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 370mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 欧姆 190mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.84 nC 10 V

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 370mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 欧姆 190mA,10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.84 nC 10 V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 24.1 pF 20 V

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功率耗散(最大值): -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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6HP04CH-TL-W参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 370mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 欧姆 190mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.84 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 24.1 pF 20 V
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功率耗散(最大值): -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 3-CPH
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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