品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 10V

频率 - 跃迁： 4.5GHz # 5.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1.9dB 1GHz

增益： 10dB 1GHz

功率 - 最大值： 400mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，5V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： 3-MCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 10V

频率 - 跃迁： 4.5GHz # 5.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1.9dB 1GHz

增益： 10dB 1GHz

功率 - 最大值： 400mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，5V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： 3-MCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 10V

频率 - 跃迁： 4.5GHz # 5.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1.9dB 1GHz

增益： 10dB 1GHz

功率 - 最大值： 400mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，5V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 70mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： 3-MCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： MCPH-3

系列： 55GN01MA

产品种类： 射频(RF)双极晶体管

晶体管类型： Bipolar

技术： Si

晶体管极性： NPN

工作频率： 4.5 GHz

直流集电极/Base Gain hfe Min： 100 at 10 mA, 5 V

集电极—发射极最大电压 VCEO： 10 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 3 V

集电极连续电流： 70 mA

配置： Single

安装风格： SMD/SMT

商标： onsemi

Pd-功率耗散： 400 mW

产品类型： RF Bipolar Transistors

温度： -~+ 150 C