品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 50 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 欧姆 50mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.57 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6.6 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 250mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： 3-SPA

封装/外壳： SC-72

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： SC-72

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.8Ohm @ 50mA, 4V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 250mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.3V @ 100µA

Supplier Device Package： 3-SPA

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4V

Vgs (Max)： ±10V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 50 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1.57 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6.6 pF @ 10 V