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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
5LP01SP_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥0.947008

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 袋,袋

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 50 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 欧姆 40mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7.4 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: 3-SPA

封装/外壳: SC-72

温度: 150°C(TJ)

5LP01SP_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: SC-72

供应商器件封装: 3-SPA

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
5LP01SP_未分类
5LP01SP
授权代理品牌

MOSFET P-CH 50V 70MA 3SPA

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Bulk

標準包裝數量: 500

5LP01SP参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 袋,袋
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 欧姆 40mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.4 nC 10 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7.4 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: 3-SPA
封装/外壳: SC-72
温度: 150°C(TJ)