品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 220mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 10mA，2V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 3-MCPH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 220mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 10mA，2V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 3-MCPH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 220mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 10mA，2V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 3-MCPH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： 30A02MH

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 30 V

集电极—基极电压 VCBO： - 30 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 110 mV

最大直流电集电极电流： - 700 mA

Pd-功率耗散： 600 mW

增益带宽产品fT： 520 MHz

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 7.240 mg

温度： -~+ 150 C