品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 190mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 50mA，2V

功率 - 最大值： 700 mW

频率 - 跃迁： 540MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-96

供应商器件封装： 3-CPH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 190mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 50mA，2V

功率 - 最大值： 700 mW

频率 - 跃迁： 540MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-96

供应商器件封装： 3-CPH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 190mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 50mA，2V

功率 - 最大值： 700 mW

频率 - 跃迁： 540MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-96

供应商器件封装： 3-CPH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-59-3

系列： 30C02CH

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 30 V

集电极—基极电压 VCBO： 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 85 mV

最大直流电集电极电流： 700 mA

Pd-功率耗散： 700 mW

增益带宽产品fT： 540 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 700 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min： 300

直流电流增益 hFE 最大值： 800

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 8 mg

温度： -~+ 150 C