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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	3LP01S-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.4 欧姆 50mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMCP 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
	3LP01S-TL-E Sanyo(三洋) 授权代理品牌	P-CHANNEL SILICON MOSFET 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Sanyo 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.4Ohm 50mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SMCP 封装/外壳： SC-75, SOT-416 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
3LP01S-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.4 欧姆 50mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMCP 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）
3LP01S-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： SMCP
3LP01S-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： SMCP
3LP01S-TL-E Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	P-CHANNEL SILICON MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3572：￥0.991728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： SMCP
3LP01S-TL-E Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	P-CHANNEL SILICON MOSFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Sanyo 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V, 4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.4Ohm 50mA, 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7500 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： SMCP 封装/外壳： SC-75, SOT-416 温度： 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	3LP01S-TL-E ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.4 欧姆 50mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7.5 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMCP 封装/外壳： SC-75，SOT-416 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	3LP01S-TL-E ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SMCP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥0.644271 +10：￥0.634934 +25：￥0.625597 +50：￥0.614703 +100：￥0.605366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	3LP01S-TL-E onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SMCP T/R 下载数据手册未分类	+175：￥0.365861 +250：￥0.361145 +500：￥0.354545 +1000：￥0.347944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

3LP01S-TL-E参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10.4 欧姆 50mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.43 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7.5 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SMCP
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
温度:	150°C（TJ）