品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 80mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 50mA，2V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 80mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 50mA，2V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 700 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 80mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 50mA，2V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-243AA

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 80mV @ 10mA, 100mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 50mA, 2V

Frequency - Transition： 250MHz

Supplier Device Package： PCP

Current - Collector (Ic) (Max)： 700 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 15 V

Power - Max： 500 mW

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-243-3

系列： 2SD1618

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 15 V

集电极—基极电压 VCBO： 20 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 5 V

集电极—射极饱和电压： 30 mV

最大直流电集电极电流： 700 mA

Pd-功率耗散： 500 mW

增益带宽产品fT： 250 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 0.7 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 60

直流电流增益 hFE 最大值： 560

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

温度： -~+ 150 C