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	2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.665568 +100：￥0.560304 +300：￥0.364464 +800：￥0.300816 +3000：￥0.225648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.189728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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2N7002E-7-F VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002E-7-F VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.207848 +50：￥0.204264 +500：￥0.197097 +5000：￥0.191722 +30000：￥0.179178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+50：￥2.663252 +100：￥1.408603 +500：￥0.926854 +1000：￥0.6309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.322206 +12000：￥0.307661 +30000：￥0.299018 +75000：￥0.29048 +120000：￥0.277622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F 授权代理品牌	2N7002E-7-F VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+100：￥0.201659 +200：￥0.19367 +500：￥0.184526 +39000：￥0.176538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.35157 +200：￥0.226895 +1500：￥0.196102 +3000：￥0.173644 +45000：￥0.172255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.202816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F 授权代理品牌	2N7002E-7-F VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.220875 +100：￥0.211729 +300：￥0.202468 +3000：￥0.198764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.337422 +6000：￥0.313017 +9000：￥0.259599 +30000：￥0.254992 +75000：￥0.229003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002E-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.22 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	370mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002E-7-F VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002E-7-F VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.207848 +50：￥0.204264 +500：￥0.197097 +5000：￥0.191722 +30000：￥0.179178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+50：￥2.663252 +100：￥1.408603 +500：￥0.926854 +1000：￥0.6309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.322206 +12000：￥0.307661 +30000：￥0.299018 +75000：￥0.29048 +120000：￥0.277622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F 授权代理品牌	2N7002E-7-F VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+100：￥0.201659 +200：￥0.19367 +500：￥0.184526 +39000：￥0.176538	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.35157 +200：￥0.226895 +1500：￥0.196102 +3000：￥0.173644 +45000：￥0.172255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.202816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002E-7-F 授权代理品牌	2N7002E-7-F VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.220875 +100：￥0.211729 +300：￥0.202468 +3000：￥0.198764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数