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2SB815-6-TB-E参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
晶体管类型: | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 700 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 15 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 80mV 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 200 50mA,2V |
功率 - 最大值: | 200 mW |
频率 - 跃迁: | 250MHz |
工作温度: | 125°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | 3-CP |
温度: | 125°C(TJ) |