品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 4V

频率 - 跃迁： 10GHz # 12.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1.5dB 2GHz

增益： 9.5dB # 10.5dB 2GHz

功率 - 最大值： 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，1V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-81

供应商器件封装： 3-SSFP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 4V

频率 - 跃迁： 10GHz # 12.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1.5dB 2GHz

增益： 9.5dB # 10.5dB 2GHz

功率 - 最大值： 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 5mA，1V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-81

供应商器件封装： 3-SSFP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-81-3

系列： 2SC5646A

产品种类： 射频(RF)双极晶体管

晶体管类型： Bipolar

技术： Si

晶体管极性： NPN

工作频率： 12.5 GHz

直流集电极/Base Gain hfe Min： 100 at 5 mA, 1 V

集电极—发射极最大电压 VCEO： 4 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 2 V

集电极连续电流： 30 mA

配置： Single

安装风格： SMD/SMT

商标： onsemi

Pd-功率耗散： 100 mW

产品类型： RF Bipolar Transistors

单位重量： 1.820 mg

温度： -~+ 150 C