品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）,散装,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA，2V

功率 - 最大值： 750 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： 3-NP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-92-3

系列： 2SD1835

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极—基极电压 VCBO： 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 150 mV

最大直流电集电极电流： 2 A

Pd-功率耗散： 750 mW

增益带宽产品fT： 150 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： 2 A

直流电流增益 hFE 最大值： 560

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 4.675 g

温度： -~+ 150 C