品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

频率 - 跃迁： 3.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 1.3W

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 135 50mA，5V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

频率 - 跃迁： 3.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： -

增益： -

功率 - 最大值： 1.3W

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 135 50mA，5V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： PCP-3

系列： 2SC5551A

产品种类： 射频(RF)双极晶体管

晶体管类型： Bipolar

技术： Si

晶体管极性： NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min： 90

集电极—发射极最大电压 VCEO： 30 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 2 V

集电极连续电流： 300 mA

配置： Single

安装风格： SMD/SMT

商标： onsemi

Pd-功率耗散： 1.3 W

产品类型： RF Bipolar Transistors

单位重量： 51.150 mg

温度： - 55 C~+ 150 C