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2N6519TA参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Fairchild Semiconductor |
包装: | Bulk |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Obsolete |
晶体管类型: | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 500 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 300 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 1V 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 50nA (ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 40 50mA, 10V |
功率 - 最大值: | 625 mW |
频率 - 跃迁: | 200MHz |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
封装/外壳: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装: | TO-92-3 |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |