晶体管类型： PNP

集射极击穿电压(Vceo)： 50V

集电极电流(Ic)： 150mA

功率(Pd)： 250mW

集电极截止电流(Icbo)： 100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 300mV@100mA,10mA

特征频率(fT)： 50MHz

工作温度： +150℃@(Tj)

晶体管类型： PNP

集射极击穿电压(Vceo)： 50V

集电极电流(Ic)： 150mA

功率(Pd)： 250mW

集电极截止电流(Icbo)： 100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 300mV@100mA,10mA

特征频率(fT)： 50MHz

工作温度： +150℃@(Tj)

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1mA，6V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 1mA，6V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 50MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）