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2PB709AR,115参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | NXP USA Inc. |
包装: | 散装,卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
晶体管类型: | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 45 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 500mV 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 10nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 210 2mA,10V |
功率 - 最大值: | 250 mW |
频率 - 跃迁: | 70MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | SMT3; MPAK |
温度: | 150°C(TJ) |