品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 200mV @ 5mA, 50mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 10mA, 5V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： TO-92-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 600 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 160 V

Power - Max： 625 mW

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-92-3

系列： 2N5551

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 160 V

集电极—基极电压 VCBO： 180 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 200 mV

最大直流电集电极电流： 600 mA

Pd-功率耗散： 625 mW

增益带宽产品fT： 300 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 0.6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 80

直流电流增益 hFE 最大值： 250

高度： 4.7 mm

长度： 4.7 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 3.93 mm

零件号别名： 2N5551BU_NL

单位重量： 200 mg

温度： - 55 C~+ 150 C