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2SA2016-TD-E_双极性晶体管
2SA2016-TD-E
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

双极性晶体管

+20:

¥7.190183

+100:

¥4.862385

+500:

¥3.569258

+1000:

¥2.586375

+2000:

¥2.457026

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 7 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 40mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 3.5 W

频率 - 跃迁: 330MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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2SA2016-TD-E_null
2SA2016-TD-E
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TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

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¥2.843212

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¥2.397634

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¥2.01571

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¥1.888402

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 7 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 40mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 3.5 W

频率 - 跃迁: 330MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

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2SA2016-TD-E_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

双极性晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 7 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 40mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 3.5 W

频率 - 跃迁: 330MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

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2SA2016-TD-E_双极性晶体管
2SA2016-TD-E
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TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

双极性晶体管

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¥3.34843

+4000:

¥3.319258

+5000:

¥3.290202

+15000:

¥3.26103

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 7 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 40mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 3.5 W

频率 - 跃迁: 330MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

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TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

双极性晶体管

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¥5.26166

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¥4.808515

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¥4.577351

+5000:

¥4.317734

+7000:

¥4.163983

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 7 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 40mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 3.5 W

频率 - 跃迁: 330MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

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TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

双极性晶体管

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¥18.052389

+10:

¥11.366886

+100:

¥7.473384

+500:

¥5.800326

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

2SA2016-TD-E_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

双极性晶体管

+1:

¥18.052389

+10:

¥11.366886

+100:

¥7.473384

+500:

¥5.800326

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

Mouser
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2SA2016-TD-E_晶体管
2SA2016-TD-E
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TRANS PNP 50V 7A SOT89-3

晶体管

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¥15.422091

+10:

¥11.574861

+25:

¥11.309534

+100:

¥7.860292

+500:

¥6.284917

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-89-3

系列: 2SA2016

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 50 V

集电极—基极电压 VCBO: - 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 6 V

集电极—射极饱和电压: - 240 mV

最大直流电集电极电流: - 7 A

Pd-功率耗散: 3.5 W

增益带宽产品fT: 330 MHz

商标: onsemi

集电极连续电流: 7 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 200

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 130.500 mg

温度: -~+ 150 C

艾睿
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2SA2016-TD-E_未分类
2SA2016-TD-E
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

未分类

+1000:

¥3.773474

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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2SA2016-TD-E_未分类
2SA2016-TD-E
授权代理品牌

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -50V, SOT-89-3

未分类

+5:

¥9.940999

+10:

¥6.970272

+100:

¥4.822606

+500:

¥3.845225

库存: 0

货期:7~10 天

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2SA2016-TD-E参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 7 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 40mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V
功率 - 最大值: 3.5 W
频率 - 跃迁: 330MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
温度: 150°C(TJ)