品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，5V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 130MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TP-FA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，5V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 130MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TP-FA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： TO-252-3

系列： 2SB1216

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 6 V

Pd-功率耗散： 1 W

商标： onsemi

集电极连续电流： 4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 70

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 1.800 g

温度： ~