品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 420MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体

供应商器件封装： 3-MP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 420MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体

供应商器件封装： 3-MP

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 400mV @ 50mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 420MHz

Supplier Device Package： 3-MP

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 1 W