搜索 2SC5566-TD-E 共 10 条相关记录
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2SC5566-TD-E 授权代理品牌 | +1000: ¥3.286462 +2000: ¥3.064832 +5000: ¥3.034753 +10000: ¥2.952434 | 暂无参数 |
2SC5566-TD-E参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 4 A |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 50 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 225mV 100mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 1µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 200 500mA,2V |
功率 - 最大值: | 1.3 W |
频率 - 跃迁: | 400MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-243AA |
供应商器件封装: | PCP |
温度: | 150°C(TJ) |