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搜索 2SC5566-TD-E 共 10 条相关记录
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2SC5566-TD-E_双极性晶体管
2SC5566-TD-E
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥5.679026

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￥4.837689

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￥4.711498

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 225mV 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： 400MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

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2SC5566-TD-E_双极性晶体管
2SC5566-TD-E
ON(安森美)
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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

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系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 225mV 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： 400MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

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2SC5566-TD-E_双极性晶体管
2SC5566-TD-E
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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 225mV 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： 400MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

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2SC5566-TD-E
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品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 225mV 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： 400MHz

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安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

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2SC5566-TD-E
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 225mV 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： 400MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

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2SC5566-TD-E_双极性晶体管
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￥3.13485

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￥2.42488

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 225mV 100mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 500mA，2V

功率 - 最大值： 1.3 W

频率 - 跃迁： 400MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

温度： 150°C（TJ）

2SC5566-TD-E_双极性晶体管
2SC5566-TD-E
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￥4.408986

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￥3.683576

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

2SC5566-TD-E_双极性晶体管
2SC5566-TD-E
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￥3.683576

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货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： PCP

Mouser
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2SC5566-TD-E_未分类
2SC5566-TD-E
ON(安森美)
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TRANS NPN 50V 4A PCP

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未分类
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￥6.020284

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￥5.339043

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￥4.277571

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￥3.849815

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品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： PCP-3

系列： 2SC5566

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极—基极电压 VCBO： 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 150 mV

最大直流电集电极电流： 4 A

Pd-功率耗散： 3.5 W

增益带宽产品fT： 400 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： - 4 A, 4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 200

直流电流增益 hFE 最大值： 560

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 51.500 mg

温度： -~+ 150 C

艾睿
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2SC5566-TD-E
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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未分类
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￥3.286462

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￥3.064832

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￥3.034753

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￥2.952434

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货期：7~10 天

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2SC5566-TD-E参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 4 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 225mV 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 500mA，2V
功率 - 最大值: 1.3 W
频率 - 跃迁: 400MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
温度: 150°C（TJ）