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搜索 2N2905A 共 16 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N2905A_未分类
2N2905A
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 0.6A TO39

未分类
+1：

￥99.809684

+10：

￥95.996067

+30：

￥89.385069

+100：

￥83.626397

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌
+1：

￥81.583043

+100：

￥77.490744

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
ON(安森美)
授权代理品牌

PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

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双极性晶体管
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -

2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
ST(意法半导体)
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 0.6A TO-39

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双极性晶体管
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： 175°C（TJ）

2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
Solid State
授权代理品牌

TO 39 PNP SILICON TRANSISTOR

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双极性晶体管
+10：

￥3.45984

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Solid State Inc.

包装： Box

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA, 10V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-39

温度： -65°C # 200°C (TJ)

2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
NTE Electronics, Inc
授权代理品牌
+1：

￥14.462134

+10：

￥13.770166

+20：

￥13.009001

+50：

￥12.317033

+100：

￥12.040246

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA, 10V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-39

温度： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
NTE Electronics, Inc
授权代理品牌
+1：

￥24.99052

+10：

￥23.794801

+20：

￥22.479511

+50：

￥21.283793

+100：

￥20.805505

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA, 10V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-39

温度： -

2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -

2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
Microchip Technology(美高森美)
授权代理品牌
+1：

￥140.975226

+100：

￥133.903746

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

2N2905A_双极性晶体管
2N2905A
Solid State
授权代理品牌
+10：

￥5.978593

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Solid State Inc.

包装： Box

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA, 10V

功率 - 最大值： 600 mW

频率 - 跃迁： 200MHz

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-39

温度： -65°C # 200°C (TJ)

2N2905A参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.6V 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 150mA，10V
功率 - 最大值: 800 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C # 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装: TO-39（TO-205AD）
温度: -65°C # 200°C（TJ）