品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： SC-75, SOT-416

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 10mA, 100mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 90 @ 1mA, 6V

Frequency - Transition： 180MHz

Supplier Device Package： SC-75

Part Status： Obsolete

Current - Collector (Ic) (Max)： 100 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50 V

Power - Max： 200 mW

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -