品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 250mA，1V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -65°C ~ 200°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 125mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 250mA，1V

功率 - 最大值： 6 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -

品牌： Solid State Inc.

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 125mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 100mA, 1V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 3MHz

工作温度： -65°C ~ 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-39

温度： -65°C ~ 200°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 125mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 250mA，1V

功率 - 最大值： 6 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -