品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 240mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，5V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TP-FA

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 240mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，5V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： 300MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TP-FA

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 240mV @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 100mA, 5V

Frequency - Transition： 300MHz

Supplier Device Package： TP-FA

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 800 mW

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 240mV @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 200 @ 100mA, 5V

Frequency - Transition： 300MHz

Supplier Device Package： TP-FA

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 800 mW

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： 2SA2205

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 100 V

集电极—基极电压 VCBO： - 100 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 7 V

集电极—射极饱和电压： - 120 mV

最大直流电集电极电流： - 2 A

Pd-功率耗散： 800 mW

增益带宽产品fT： 300 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： - 2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 200 at - 100 mA, - 5 V

直流电流增益 hFE 最大值： 400 at - 100 mA, - 5 V

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

温度： -~+ 150 C