锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 2SC6096-TD-E12 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_双极性晶体管
2SC6096-TD-E
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

+5:

¥4.68028

+50:

¥3.120227

+150:

¥2.600169

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,5V

功率 - 最大值: 1.3 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_双极性晶体管
2SC6096-TD-E
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

+1:

¥2.535127

+10:

¥2.48049

+30:

¥2.447708

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,5V

功率 - 最大值: 1.3 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_双极性晶体管
2SC6096-TD-E
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

+1000:

¥3.400639

+2000:

¥3.343916

+4000:

¥3.287424

+8000:

¥3.2307

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,5V

功率 - 最大值: 1.3 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_双极性晶体管
2SC6096-TD-E
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,5V

功率 - 最大值: 1.3 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

+1000:

¥1.778728

+2000:

¥1.58417

+5000:

¥1.500806

+10000:

¥1.389611

+25000:

¥1.375853

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,5V

功率 - 最大值: 1.3 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

+1000:

¥4.351239

+2000:

¥3.875299

+5000:

¥3.671367

+10000:

¥3.399357

+25000:

¥3.3657

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,5V

功率 - 最大值: 1.3 W

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

温度: 150°C(TJ)

2SC6096-TD-E_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

+1:

¥10.250085

+10:

¥8.842612

+100:

¥6.119454

+500:

¥5.112498

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

2SC6096-TD-E_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

双极性晶体管

+1:

¥10.250085

+10:

¥8.842612

+100:

¥6.119454

+500:

¥5.112498

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: PCP

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_晶体管
2SC6096-TD-E
授权代理品牌

TRANS NPN 100V 2A SOT89-3

晶体管

+1:

¥10.94471

+10:

¥9.186924

+100:

¥6.616575

+500:

¥5.538688

+1000:

¥4.709544

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: PCP-3

系列: 2SC6096

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

集电极—基极电压 VCBO: 120 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6.5 V

集电极—射极饱和电压: 100 mV

最大直流电集电极电流: 2 A

Pd-功率耗散: 3.5 W

增益带宽产品fT: 300 MHz

商标: onsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min: 300 at 100 mA, 5 V

直流电流增益 hFE 最大值: 600 at 100 mA, 5 V

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 51.500 mg

温度: -~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6096-TD-E_未分类
2SC6096-TD-E
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

未分类

+1000:

¥5.924881

+2000:

¥5.872258

+3000:

¥5.818084

+4000:

¥5.765462

+5000:

¥5.712837

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2SC6096-TD-E参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,5V
功率 - 最大值: 1.3 W
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
温度: 150°C(TJ)