 | 2N5684 | | | | 品牌: Microchip Technology 包装: 散装 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: - 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): - 电压 - 集射极击穿(最大值): - 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): - 电流 - 集电极截止(最大值): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): - 功率 - 最大值: - 频率 - 跃迁: - 工作温度: - 安装类型: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - 温度: - |
 | | | | | 品牌: onsemi 包装: 托盘 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 5V 10A,50A 电流 - 集电极截止(最大值): 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 15 25A,2V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 2MHz 工作温度: -65°C # 200°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-204AE 供应商器件封装: TO-204(TO-3) 温度: -65°C # 200°C(TJ) |
 | | | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 5V 10A, 50A 电流 - 集电极截止(最大值): 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 15 25A, 2V 功率 - 最大值: 300 W 频率 - 跃迁: 2MHz 工作温度: -65°C # 200°C (TJ) 安装类型: Through Hole 封装/外壳: TO-204AE 供应商器件封装: TO-204 (TO-3) 温度: -65°C # 200°C (TJ) |