品牌： onsemi

包装： Tray

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 5V 10A, 50A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 25A, 2V

功率 - 最大值： 300 W

频率 - 跃迁： 2MHz

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-204AE

供应商器件封装： TO-204 (TO-3)

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tray

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 5V 10A, 50A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 25A, 2V

功率 - 最大值： 300 W

频率 - 跃迁： 2MHz

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-204AE

供应商器件封装： TO-204 (TO-3)

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tray

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 5V 10A, 50A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 15 25A, 2V

功率 - 最大值： 300 W

频率 - 跃迁： 2MHz

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-204AE

供应商器件封装： TO-204 (TO-3)

温度： -65°C # 200°C (TJ)