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搜索 2SC5200N(S1,E,S) 共 10 条相关记录

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	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥5.3361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册未分类	+25：￥9.100322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册未分类	+10：￥18.069064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册未分类	+10：￥25.591592 +100：￥22.666798 +500：￥22.144493 +1000：￥21.935683 +2500：￥11.385686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥6.90991 +500：￥6.233632 +1000：￥5.721075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.65125 +100：￥5.326001 +1000：￥4.925926 +15000：￥4.900921 +30000：￥4.888419	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥15.64804 +25：￥12.550161 +100：￥10.324822 +500：￥8.73651 +1000：￥7.412845	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥27.03976 +25：￥21.686636 +100：￥17.841257 +500：￥15.09666 +1000：￥12.80937	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS NPN 230V 15A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥35.171139 +10：￥29.150854 +100：￥23.288997 +500：￥19.961998 +1000：￥18.536141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SC5200N(S1,E,S) Toshiba 授权代理品牌	Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine 下载数据手册未分类	+25：￥19.442353 +100：￥17.572896 +500：￥15.996531 +1000：￥14.027265 +2500：￥13.886263	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SC5200N(S1,E,S)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	15 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	230 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	3V 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）:	5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 1A，5V
功率 - 最大值:	150 W
频率 - 跃迁:	30MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装:	TO-3P（N）
温度:	150°C（TJ）